科学技術振興機構(JST)は2015年2月25日に第2回知的財産特別貢献賞の受賞者を東京工業大学フロンティア研究機構・元素戦略研究センター教授の細野秀雄氏に決定したと発表し、同日、その受賞表彰式を東京都新宿区で開催した。
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 今回の知的財産特別貢献賞の受賞理由は、「細野教授が高精細ディスプレーに適した酸化物半導体であるInGaZnO(インジウム・ガリウム・亜鉛酸化 物)を研究開発し、JSTがその基本特許や関連特許を含むパテントプールを作成し、平成23年(2011年)から国内・国外の企業に実施権のライセンス許 諾の技術移転契約を実施したことである」という。
JSTの中村道治理事長は「酸化物半導体という独創的な研究開発成果を特許群にしただけではなく、その実施権のライセンス許諾という知的財産の“活用”にまで達した点に大きな意味がある」と、今回の選定理由を説明した。