東京工業大学科学技術創成研究院の細野秀雄教授らは2017年1月、有機ELディスプレイの電子注入層と輸送層に用いる透明酸化物半導体を開発したと発表した。新物質はこれまで用いられてきた材料に比べて、同等の仕事関数と3桁以上大きい移動度を持つ。製造プロセスも量産性に優れ、コスト低減が可能だという。
最近はIGZO-TFTで駆動する大型有機ELテレビの生産も始まっている。しかし、大型有機ELテレビの本格量産に向けては、物質表面から1個の電子を取り出すのに必要な最小エネルギーである仕事関数や、固体物質中における電子の移動のしやすさを示す電子移動度のさらなる改善、改良が必要になるという。


研究グループはIGZO-TFTがより安定に動作し、かつ製造コストを低減するために、電子注入層と電子輸送層に向けた2種類の新物質を、透明アモルファス酸化物で実現した。
これによって得られた無色透明の薄膜はアモルファスで、結晶C12A7電子化物と同等濃度のアニオン電子が含まれていることが分かった。紫外光電子分光法で測定したところ、仕事関数は3.0eVであり、金属リチウムやカルシウムと同程度であった。アモルファスの状態でも、仕事関数が小さいとう電子化物の特長は保持されることが明らかとなった。
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