サムスン電子が4日、大規模な投資を発表し、中国西安にも半導体工場を追加で建設すると明らかにした。内部的にはすでに年初に意思決定が終わった案件であり、2014年に竣工した西安第1ラインと同じく3D(3次元)NAND型フラッシュメモリー生産工場だ。業界は、10兆ウォン(約1兆円)を投資して月10万枚(ウェハー基準)を生産する工場を2019年末までに新しく建設するとみている。

西安工場はサムスン電子の3D NAND生産で重要な比率を占める。西安第1ラインの生産量は月12万枚で、それぞれ4万枚を生産する華城(ファソン)16ライン、17ラインを合わせたものより多い。新工場が追加されれば生産量は22万枚に増え、2021年に最大24万枚を生産する平沢(ピョンテク)工場とともに2大拠点となる。



サムスン電子が中国内のNAND生産を増やす裏には、先端産業を誘致するための中国政府の積極的な努力がある。西安第1工場建設当時に次の工場敷地を確保したサムスン電子は、今回の工場建設に関連して中国地方政府から資金支援まで受ける予定だ。業界関係者は「支援規模をめぐり最近まで西安および陝西省政府と話し合ってきた」と伝えた。

中国は半導体やディスプレーなどの新規工場に破格的な支援をすることで有名だ。第10.5世代LCD(液晶表示装置)工場を建設しているBOEは工場建設費用460億元のうち30億元だけを負担した。270億元を合肥地方政府などが出し、160億元は銀行から支援された。今年およそ30年ぶりにメモリー半導体生産を再開したインテルが中国・大連に工場を建設したのもこのような支援のためだ。

2015年に計2307億ドル分の半導体を輸入した中国は、自国の半導体産業育成のために貿易障壁を高めていく可能性が高いという見方が出てきている。サムスン電子が急いで投資拡大を決めたのもこうした点を念頭に置いているという分析だ。