東北大学は4月12日、金属とハロゲンが交互に一直線に並ぶ、原子1個分の細さの電子の通り道を作る擬一次元電子系物質「ハロゲン架橋金属錯体」半導体2種類のヘテロ接合に成功し、その構造をマクロスケールおよび原子スケールで明らかにしたと発表した。

同成果は、東北大 理学研究科の脇坂聖憲助教、同・高石慎也准教授、同・山下正廣名誉教授らの研究チームによるもの。詳細は、英オンライン科学誌「Nature Communications」に掲載された。





半導体業界、コンピュータ業界の進歩をけん引してきた「ムーアの法則」。この集積回路の素子数の増加に関する法則の原動力の1つとなってきたのが、半導体プロセスの微細化であることは良く知られた事実であろう。しかし、物質を扱っている以上、原子よりも小さいものは存在しないことから、原子サイズがムーアの法則の1つの終着点という考え方がなされるようになってきたという。

そうした中で研究チームは今回、金属イオンとハロゲン化物イオンが交互に一直線に並んだ鎖構造を特徴とする半導体物質のハロゲン架橋金属錯体を2種類用いて、ヘテロ接合を作製することにしたという。

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