サファイアは、熱的・機械的特性や化学的安定性などに優れ、様々な半導体材料と比較的良好に格子整合することから、薄膜成長用基板として重宝され、青色LEDを作製するための基板として活用されています．また、窒化物系LD、HEMT、パワーデバイスへの展開も期待されている他、Si on Sapphire（SOS）デバイスや圧力センサなど、
広範囲に用途が広がっています．



従来のLED基板用サファイアウェーハの製作は、インゴット切断、ラッピング、 ポリシングといった工程で行われますが、非常に硬くしかも脆い材料のため、ラッピング工程には長時間を要します．最近はこのラッピング工程を短縮または削減して製作コストを低減するため、高能率・高精度の研削技術の導入が強く求められています．

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