産業技術総合研究所と大陽日酸の研究グループは、太陽電池の中で最も発電効率が高いとされる「ＩＩＩ―Ｖ族化合物太陽電池」の低コスト化につながる技術を開発した。安価な材料で高速に成膜できる「ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法」を利用し、太陽電池の高効率化や薄膜化に必要なアルミニウム系材料の成膜装置を作製。成膜したアルミ系材料を太陽電池に導入し、発電効率の向上を確認した。高効率太陽電池の普及が期待される。





今後、現在の３倍となる６インチサイズで成膜できる量産型のＨＶＰＥ装置を開発する。さらにＨＶＰＥ装置で製造したＩＩＩ―Ｖ族化合物太陽電池をシリコンや多元系化合物半導体薄膜「ＣＩＧＳ（銅、インジウム、ガリウム、セレン）」などの安価な太陽電池と組み合わせることで、発電効率３５％以上、発電コスト１ワット当たり２００円の太陽電池の実現を目指す。現在実用化されている太陽電池は発電効率が高いもので約３０％、発電コストが１ワット当たり７０００―１万円。

研究グループは、反応炉内部でアルミ原料を５００度Ｃの低温で加熱できる装置を開発。成膜層への不純物の混入や反応炉の損傷の原因となる化合物の発生を抑えることで、太陽電池の材料となるアルミニウム・インジウム・ガリウム・リン（ＡｌＩｎＧａＰ）層やアルミニウム・ヒ素（ＡｌＡｓ）層の高品質な成膜を可能にした。

さらにＡｌＩｎＧａＰを導入したインジウム・ガリウム・リン（ＩｎＧａＰ）太陽電池では表面近傍の電流損失が抑えられ発電効率を向上できた。

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