ジャパンディスプレイ(JDI)と出光興産は21日、スマートフォンやウエアラブルデバイス、ノートパソコンなど多様なディスプレーに適用できる多結晶酸化物半導体「Poly―OS(ポリオーエス)」を開発したと発表した。
ディスプレーの高精細化や低消費電力を実現する革新的な技術として、普及を目指す。
ディスプレーの高精細化や低消費電力を実現する革新的な技術として、普及を目指す。
株式会社ジャパンディスプレイ(本社:東京都港区、代表執行役会長CEO スコット キャロン、以下「JDI」)と、出光興産株式会社(本社:東京都千代田区、代表取締役社長:木藤 俊一、以下「出光興産」)はウェアラブルデバイス、スマートフォン、VR、ノート PC、大型テレビ向けなど多様なディスプレイに適用できる革新的な多結晶酸化物半導体「Poly-OS(Poly-crystalline Oxide Semiconductor)」の開発に成功しました。 Poly-OS は、出光興産が開発した多結晶酸化物1半導体材料とJDI 独自のバックプレーン2技術を融合させることで、第6 世代量産ラインで高移動度と低オフリーク電流3を両立、ディスプレイの性能向上に大きく貢献するだけでなく、第8 世代以上の大型ラインへの適用も可能で、ディスプレイ製造の低コスト化にも大きく寄与します。両社は今後、この革新的技術を広く世界に普及させることを目指します。
JDI は、独自のバックプレーン技術により、茂原工場(千葉県茂原市)の第 6 世代量産ラインにて、世界で初めて多結晶酸化物半導体「Poly-OS」の実用化に成功しました。 JDI で作成した Poly-OS は従来比 4 倍の電界効果移動度を達成し、2022 年 3 月 30 日に JDI独自技術「HMO(High Mobility Oxide)」として発表しています。(ニュースリリース:「世界初 第 6 世代量産ラインにて従来比 4 倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体 TFT を実現」)。 出光興産は2006 年より多結晶酸化物半導体材料 IGO(Indium Gallium Oxide)の開発をはじめました。IGO は、従来の酸化物半導体では実現できなかった低温ポリ シリコン(LTPS)4と同水準の高い移動度を有することが特長です。さらに第8 世代以上の大型ラインにおいてもプロセス適性があり薄膜トランジスタ(TFT)5を作製することが可能です。
JDI は、独自のバックプレーン技術により、茂原工場(千葉県茂原市)の第 6 世代量産ラインにて、世界で初めて多結晶酸化物半導体「Poly-OS」の実用化に成功しました。 JDI で作成した Poly-OS は従来比 4 倍の電界効果移動度を達成し、2022 年 3 月 30 日に JDI独自技術「HMO(High Mobility Oxide)」として発表しています。(ニュースリリース:「世界初 第 6 世代量産ラインにて従来比 4 倍の電界効果移動度を持つ酸化物半導体 TFT を実現」)。 出光興産は2006 年より多結晶酸化物半導体材料 IGO(Indium Gallium Oxide)の開発をはじめました。IGO は、従来の酸化物半導体では実現できなかった低温ポリ シリコン(LTPS)4と同水準の高い移動度を有することが特長です。さらに第8 世代以上の大型ラインにおいてもプロセス適性があり薄膜トランジスタ(TFT)5を作製することが可能です。
両社は今後、多結晶酸化物半導体「Poly-OS」技術を幅広い業界関係者が適用できるよう普及 に 取り 組む と とも に、 デ ィス プレ イ 性能 の進 化 と同 産業 の 発展 、デ ィ スプ レイ の 低消 費電力化による低炭素社会の実現に取り組みます。
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