
この電力変換効率の大幅向上は、半導体層構造の結晶成長の膜厚制御精度を従来よりも約一桁高める「高精度その場膜厚制御」手法を確立できたためであり、将来の生産性向上にも繋がることから、社会実装に向けた大きな一歩であると言えます。
本研究成果は、2024年3月28日に国際論文誌「Applied Physics Letters」(https://doi.org/10.1063/5.0200294)に掲載されています。
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