高性能シリコン太陽電池を安全に製造する技術を確立、東工大

東京工業大学は2024年3月14日、次世代の太陽電池として期待されているシリコンヘテロ接合（SHJ）太陽電池用の水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）を、既存手法で用いる強い爆発性／毒性を持つSiH4（モノシラン）ガスを使用せずに、実用的な製膜速度でシリコンウエハー上に形成することに成功したと発表した。

　SHJ太陽電池は、理論効率である29％に迫る26.8％の発電効率を示すなど、次世代の高性能太陽電池として期待されている。SHJ太陽電池の高い効率は、a-Si:Hをシリコンウエハー表面のパッシベーション層（ウエハー表面でのキャリア再結合を抑制する層）として用いることに起因している。一方で、a-Si:H層の形成プロセス（プラズマCVD法、Cat-CVD法）では、強い爆発性／毒性を持つSiH4ガスを使用するため、太陽電池における主流となっているPERC（Passivated Emitter and Rear Cell）型の構造を持つ結晶シリコン太陽電池に比べて製造コストが高いことが課題となっている。