最先端半導体の受託生産を目指すRapidus（ラピダス）が、生成AI（人工知能）向けで需要が急増する先端パッケージ技術の確立を急いでいる。2027年の量産開始に向け、600mm角という大型のガラス基板を支持材に使う低コストのインターポーザー（中間基板）など世界最先端の技術に挑む。同社取締役専務執行役員・3Dアセンブリ本部長の折井靖光氏に、後工程の開発戦略を聞いた。

- 新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）から受託し2024年4月に始動させたプロジェクトでは、600mm角のガラス基板を使う有機インターポーザーやハイブリッドボンディング（ハイブリッド接合）など挑戦的なテーマを掲げています。

　3つの世代の先端パッケージ技術の開発を並行して進める。第1世代は現在の業界標準となっている2.5次元（2.5D）実装だ。シリコン（Si）製のインターポーザーでチップレット（半導体チップ）同士を接続する。台湾積体電路製造（TSMC）の「CoWoS（コワース）」が代表例で、このタイプから試したいと考える顧客が多いと見ている。





　第2世代は600mm角のガラス基板を支持材に、有機材料ベースの再配線層（RDL）を造るRDLインターポーザーだ。配線ピッチは2μmを想定しているが、一部にブリッジ（配線を形成した小さなシリコンチップ）を使い0.4μmピッチにも対応できるようにしたい。

　RDLインターポーザーの寸法は8レチクル（約81mm角）を想定する。そこまでの寸法が必要かという反応が当初は多かったが、2024年に入り他社からも8レチクルの提案が増え、現実味を帯びてきた。

　第3世代は（ウエハーを貼り合わせてチップレット同士を接続する）ハイブリッド接合を用いた3次元（3D）積層だ。潜在顧客と話をすると、すぐにでも第3世代を提供してほしいという声も出る。

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