山形大学 有機エレクトロニクス研究センター 副センター長 教授の時任静士氏は7月17日、エレクトロニクス実装学会 マイクロ・ナノファブリケーション研究会の第19回公開研究会において、「有機エレクトロニクスの研究開発状況」と題して基調講演を行った。この中で、印刷・塗布法による有機TFT作製技術の開発状況を紹介。
基板上にインクジェット印刷でDIC製の導電インクによる蒲鉾状のゲート電極を形成し、C-PVPのゲート絶縁膜をスピンコートで塗布。C-PVP上にテフロン材で四角く囲い込んだ隔壁を形成し、その壁の内側にインクジェット印刷でハリマ化成の導電インクを用いソース/ドレイン電極を形成した。
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